文接上篇
《i.MXRT1170 XECC功能特点及其保护串行NOR Flash和SDRAM之道》，这篇文章里痞子衡给大家介绍了 XECC 原理及在其使能下操作 NOR Flash 步骤（尤其涉及对 Flash 的 AHB 方式写），但文章里并没有涉及性能方面的评估。我们知道 RT1170 上内部 FlexRAM ECC 模块使能后对 TCM 访问性能几乎无影响，那么 XECC 使能后对于挂在 FlexSPI/SEMC 接口上的外部 PSRAM/SDRAM 访问性能是否有影响呢？今天我们就来聊聊这个话题：
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